- 提高量子效率和弱光响应
- 更适合小像素与高像素密度
- 边缘入射光利用率更高
传感器结构
BSI CMOS
晶圆减薄并翻转后,微透镜和色彩滤镜直接面对光电二极管,金属互连被放到背面,减少光线被线路遮挡的机会
弱光画质跨过关键门槛从光子到数据
- 01光穿过微透镜
- 02色彩滤镜分光
- 03直接进入光电二极管
- 04背面线路输出信号
- 减薄、键合和背面加工提高制造难度
- 像素缩小时仍需控制串扰
- BSI 本身不等同于高速读取
晶圆减薄并翻转后,微透镜和色彩滤镜直接面对光电二极管,金属互连被放到背面,减少光线被线路遮挡的机会
弱光画质跨过关键门槛
CanonEOS D30
NikonD3
RicohGR II
FujifilmX-T5
CanonEOS D30
NikonD3
RicohGR II
FujifilmX-T5
CanonEOS 300D
NikonD90
HasselbladX2D 100C
DJIMavic 2 Pro
CanonEOS 300D
NikonD90
HasselbladX2D 100C
DJIMavic 2 Pro
NikonD1
SonyCyber-shot DSC-R1
SonyA7 III
DJIOsmo Pocket
NikonD1
SonyCyber-shot DSC-R1
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DJIOsmo Pocket